近日消息,據(jù)外媒報(bào)道,據(jù)IHSiSuppli公司的研究,2010年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)快速增長(zhǎng),銷售額達(dá)到23億美元,比2009年的16億美元增長(zhǎng)43%。
直到去年第三季度,功率MOSFET功率MOSFET
“MOSFET”是英文metal-oxide- semiconductor field effect transistor的縮寫(xiě),意即“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管”,功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體S的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。除少數(shù)應(yīng)用于音頻功率放大器,工作于線性范圍,大多數(shù)用作開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)器,工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài),耐壓從幾十伏到上千伏,工作電流可達(dá)幾安培到幾十安培。功率MOSFET都是增強(qiáng)型MOSFET,它具有優(yōu)良的開(kāi)關(guān)特性。
在2010年多數(shù)時(shí)間都處于供應(yīng)不足局面,難以滿足中國(guó)各行業(yè)的需求,包括本地?cái)?shù)據(jù)處理、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。功率MOSFETMOSFET金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱全氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
是為處理較高的功率級(jí)而設(shè)計(jì)的功率半導(dǎo)體器件,主要用于電源電源電源是向電子設(shè)備提供功率的裝置,也稱電源供應(yīng)器,它提供計(jì)算機(jī)中所有部件所需要的電能。
與DC-DC轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換器 轉(zhuǎn)換器從原理上可分為協(xié)議轉(zhuǎn)換器、接口轉(zhuǎn)換器兩大類。從應(yīng)用上又可以分光纖轉(zhuǎn)換器、光電轉(zhuǎn)換器、視頻轉(zhuǎn)換器等等。例如視頻轉(zhuǎn)換器就是一種連接電腦和電視的設(shè)備,它可以把電腦上的內(nèi)容轉(zhuǎn)換并顯示在電視機(jī)上,讓人們可以在電視上學(xué)電腦,上網(wǎng),玩游戲,做商業(yè)演示,看股票等等。 [全文]中的低電壓開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān) 開(kāi)關(guān)是最常見(jiàn)的電子元件,功能就是電路的接通和斷開(kāi)。接通則電流可以通過(guò),反之電流無(wú)法通過(guò)。在各種電子設(shè)備、家用電器中都可以見(jiàn)到開(kāi)關(guān)。 。 去年功率MOSFETFET FET即Field Effect Transistor,譯為場(chǎng)效應(yīng)晶體管,也叫場(chǎng)效應(yīng)管,是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件)。有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由于是電壓控制器件所以噪聲小。FET是根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件,有3個(gè)極性,柵極,漏極,源極。 在中國(guó)市場(chǎng)強(qiáng)勁增長(zhǎng),可能主要?dú)w功于中國(guó)政府的推動(dòng)。為了鼓勵(lì)投資和刺激經(jīng)濟(jì),中國(guó)政府推出了一系列政策。這些政府行動(dòng)使一些應(yīng)用功率MOSFETMOSFET金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱全氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。的產(chǎn)業(yè)受益,包括汽車(chē) 、通信、消費(fèi)、綠色能源與工業(yè)。這個(gè)消費(fèi)循環(huán)的最后一環(huán)是中國(guó)本地人口,尤其是那些城市居民,他們對(duì)于電子產(chǎn)品的需求非常旺盛。
但是,2011年功率MOSFET增長(zhǎng)速度不會(huì)像去年那么快。一方面,中國(guó)政府在投資方面變得更加謹(jǐn)慎,并開(kāi)始緊縮政策以抑制通脹。另一方面,日本3月地震預(yù)計(jì)會(huì)至少影響未來(lái)幾個(gè)月的晶圓與原材料供應(yīng)。圖6所示為2009-2015年中國(guó)MOSFET銷售額預(yù)測(cè)。
2010年數(shù)據(jù)處理占中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)的40%,銷售額為9.01億美元,是最大領(lǐng)域,以筆記本電腦和臺(tái)式PC為主。IHSiSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示,未來(lái)幾年,數(shù)據(jù)處理將繼續(xù)在中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)占據(jù)主要地位,2010-2015年增長(zhǎng)速度約為12%,筆記本將是推動(dòng)增長(zhǎng)的主要因素。 2010年中國(guó)第二大功率MOSFET市場(chǎng)是消費(fèi)電子,占24%,銷售額為5.45億美元,受益于中國(guó)對(duì)電視和家用電器的旺盛需求。中國(guó)功率MOSFET的其它市場(chǎng)包括:無(wú)線通信,占13%;有線通信,占10%;工業(yè)電子,占8%;汽車(chē)電子,占5%。 2010-2015年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)的總體復(fù)合年度增長(zhǎng)率將為13.7%。
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