通常晶閘管有三個電極:控制極G、陽極A和陰極C.而光控晶閘管由于其控制信號來自光的照射,沒有必要再引出控制極,所以只有兩個電極(陽極A和陰極C)。但它的結構與普通可控硅一樣,是由四層PNPN器件構成。
為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發(fā)導通,因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導通。這樣光控晶閘管受到了高溫和耐壓的限制,在目前的條件下,不可能與普通晶閘管一樣做成大功率的。
光控晶閘管除了觸發(fā)信號不同以外,其它特性基本與普通晶閘管是相同的,因此在使用時可按照普通晶閘管選擇,只要注意它是光控這個特點就行了。 光控晶閘管對光源的波長有一定的要求,即有選擇性。波長在0.8--0.9um的紅外線及波長在1um左右的激光,都是光控晶閘管較為理想的光源。
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