TLP250引腳功能及應(yīng)用電路圖
TLP250特點(diǎn)：
TOSHIBA TLP250由GaAlAs發(fā)光二極管和a組成
集成光電探測(cè)器。
該單元采用8引腳DIP封裝。
TLP250適用于IGBT或功率MOS FET的柵
TLP250引腳功能及應(yīng)用電路圖
TLP250特點(diǎn)：
TOSHIBA TLP250由GaAlAs發(fā)光二極管和a組成
集成光電探測(cè)器。
該單元采用8引腳DIP封裝。
TLP250適用于IGBT或功率MOS FET的柵極驅(qū)動(dòng)電路。
•輸入閾值電流：5mA（最大值）
•供電電流：11mA（最大值）
•電源電壓：10 - 35V
•輸出電流：±1.5A（最大值）
•切換時(shí)間t pLH / t pHL）：0.5μs（最大值）
•隔離電壓：2500V rms（min）
•UL認(rèn)可：UL1577，文件號(hào)E67349
TLP250引腳功能
TLP250的使用特點(diǎn)：
①TLP250輸出電流較小，對(duì)較大功率IGBT實(shí)施驅(qū)動(dòng)時(shí)，需要外加功率放大電路；
②由于流過IGBT的電流是通過其他電路檢測(cè)來完成的，而且僅僅檢測(cè)流過IGBT的電流，這就有可能對(duì)于IGBT的使用效率產(chǎn)生一定的影響，比如IGBT在安全工作區(qū)時(shí)，有時(shí)出現(xiàn)的提前保護(hù)等；
③要求控制電路和檢測(cè)電路對(duì)于電流信號(hào)的響應(yīng)要快，一般由過電流發(fā)生到IGBT可靠關(guān)斷應(yīng)在10μS以內(nèi)完成；
④當(dāng)過電流發(fā)生時(shí)，TLP250得到控制器發(fā)出的關(guān)斷信號(hào)，對(duì)IGBT的柵極施加一負(fù)電壓，使IGBT硬關(guān)斷。這種主電路的du/dt比正常開關(guān)狀態(tài)下大了許多，造成了施加于IGBT兩端的電壓升高很多，有時(shí)就可能造成IGBT的擊穿。
TLP250應(yīng)用電路圖
TLP250應(yīng)用電路圖２
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