對于市場上到處可見的手機充電器,萬能充不斷的增多,但質(zhì)量又不是很高,經(jīng)常會出現(xiàn)問題,扔了可惜,故教大家?guī)渍蟹治鍪謾C充電器原理的分析,希望能給大家修理帶來些幫助。分析一個電源,往往從輸入開始著手。 <<提示:容源電子網(wǎng)為廣大電子愛好者提供電路圖專題網(wǎng)站“容源電路圖網(wǎng)”,歡迎訪問。匯聚大量電路圖與你共同分享。》
220V交流輸入,一端一個4007半波整流,另一端一個10歐的電阻后,由10uF電容濾波。10歐的電阻用來做保護的,出現(xiàn)故障等導致過流,那么電阻將被燒斷,從而避免引起更大的故障。右邊的4007、4700pF電容、82KΩ電阻,構成一個高壓吸收電路,當開關管13003關斷時,負責吸收線圈上的感應電壓,從而防止高壓加到開關管13003上而導致?lián)舸?nbsp; <<提示:容源電子網(wǎng)為廣大電子愛好者提供電路圖專題網(wǎng)站“容源電路圖網(wǎng)”,歡迎訪問。匯聚大量電路圖與你共同分享。》
13003為開關管(完整的名應該是MJE13003),耐壓400V,集電極最大電流1.5A,最大集電極功耗為14W,用來控制原邊繞組與電源的通、斷。當原邊繞組不停的通斷時,就會在開關變壓器中形成變化的磁場,從而在次級繞組中產(chǎn)生感應電壓。圖中沒有標明繞組的同名端,不能看出是正激式還是反激式。不過,從電路的結構來看,可以推測出來,電源應該是反激式的。左端的510KΩ為啟動電阻,給開關管提供啟動用的基極電流。 <<提示:容源電子網(wǎng)為廣大電子愛好者提供電路圖專題網(wǎng)站“容源電路圖網(wǎng)”,歡迎訪問。匯聚大量電路圖與你共同分享。》
13003下方的10Ω電阻為電流取樣電阻,電流經(jīng)取樣后變成電壓(其值為10*I),這電壓經(jīng)二極管4148后,加至三極管C945的基極上。當取樣電壓大約大于1.4V,即開關管電流大于0.14A時,三極管C945導通,從而將開關管13003的基極電壓拉低,從而集電極電流減小,這樣就限制了開關的電流,防止電流過大而燒毀(其實這是一個恒流結構,將開關管的最大電流限制在140mA左右)。 <<提示:容源電子網(wǎng)為廣大電子愛好者提供電路圖專題網(wǎng)站“容源電路圖網(wǎng)”,歡迎訪問。匯聚大量電路圖與你共同分享。》
變壓器左下方的繞組(取樣繞組)的感應電壓經(jīng)整流二極管4148整流,22uF電容濾波后形成取樣電壓。分析方便,我們?nèi)∪龢O管C945發(fā)射極一端為地。那么這取樣電壓負的(-4V左右),并且輸出電壓越高時,采樣電壓越負。 <<提示:容源電子網(wǎng)為廣大電子愛好者提供電路圖專題網(wǎng)站“容源電路圖網(wǎng)”,歡迎訪問。匯聚大量電路圖與你共同分享。》
溫馨提示:將鼠標指針放在圖片上,滾動鼠標可以動態(tài)改變圖片大小,方便分析電路圖。 <<提示:容源電子網(wǎng)為廣大電子愛好者提供電路圖專題網(wǎng)站“容源電路圖網(wǎng)”,歡迎訪問。匯聚大量電路圖與你共同分享。》
取樣電壓6.2V穩(wěn)壓二極管后,加至開關管13003的基極。前面說了,當輸出電壓越高時,那么取樣電壓就越負,當負到程度后,6.2V穩(wěn)壓二極管被擊穿,從而將開關13003的基極電位拉低,這將導致開關管斷開推遲開關的導通,從而控制了能量輸入到變壓器中,也就控制了輸出電壓的升高,實現(xiàn)了穩(wěn)壓輸出的功能。而下方的1KΩ電阻跟串聯(lián)的2700pF電容,則是正反饋支路,從取樣繞組中取出感應電壓,加到開關管的基極上,以維持振蕩。右邊的次級繞組就沒有太多好說的了,經(jīng)二極管RF93整流,220uF電容濾波后輸出6V的電壓。 容-源-電-子-網(wǎng)-為你提供技術支持
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描述
TP4055 是一款完整的單節(jié)鋰離子電池充電器,帶電池正負極反接保護,采用恒定
電流/恒定電壓線性控制。其 SOT 封裝與較少的外部元件數(shù)目使得 TP4055 成為便攜式應用的理想選擇。TP4055 可以適合 USB 電源和適配器電源工作。
由于采用了內(nèi)部 PMOSFET 架構,加上防倒充電路,所以不需要外部檢測電阻器和
隔離二極管。熱反饋可對充電電流進行自動調(diào)節(jié),以便在大功率操作或高環(huán)境溫度條件下對芯片溫度加以限制。充滿電壓固定于 4.2V,而充電電流可通過一個電阻器進行外部設置。當電池達
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概述
TP4054 是一款完整的單節(jié)鋰離子電池采用恒定電流/恒定電壓線性充電器。其 SOT
封裝與較少的外部元件數(shù)目使得 TP4054 成為便攜式應用的理想選擇。TP4054 可以適合USB 電源和適配器電源工作。
由于采用了內(nèi)部 PMOSFET 架構,加上防倒充電路,所以不需要外部檢測電阻器和
隔離二極管。熱反饋可對充電電流進行調(diào)節(jié),以便在大功率操作或高環(huán)境溫度條件下對芯片溫度加以限制。充電電壓固定于 4.2V,而充電電流可通過一個電阻器進行外部設置。當充電電流在達到最終浮充電壓之后降至設定值
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