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一款新型高效率的線性穩(wěn)壓器

時(shí)間:2009-06-23 22:31:37來源:網(wǎng)絡(luò) 作者:admin 點(diǎn)擊:

  新型高效率的線性穩(wěn)壓器能滿足穩(wěn)定性及啟動(dòng)時(shí)大的浪涌電流要求,種種問題都可以利用 TI 的雙輸入軌 TPS74x01 來解決這些問題。
  線性穩(wěn)壓器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)概述
  在較高電流應(yīng)用中使用線性穩(wěn)壓器的主要問題在于效率低下,其效率可通過 VOUT/VIN 計(jì)算得出。線性穩(wěn)壓器中的功率損耗 (PLOST) 主要來自其封裝,該功率損耗可以通過如下公式計(jì)算得出:
  TO-263 或 D2PAK 封裝是可用于線性穩(wěn)壓器的最大表面貼裝封裝。如果不計(jì)氣流的話,該封裝的最大功耗大約為 2.75W(假設(shè)該封裝與一塊較大的銅板焊接在一起用于散熱)。許多配備了 PMOS 旁路元件的高電流“低壓降”線性穩(wěn)壓器的最小輸入電壓范圍為 2.5V~2.7V,其不但可以為內(nèi)部 LDO 驅(qū)動(dòng)電路供電,而且還足以驅(qū)動(dòng) PMOS FET 來提供較高的輸出電流。
  由于額外氣流和/或需要對(duì)穩(wěn)壓器所產(chǎn)生的熱量進(jìn)行外部散熱,因此,在輸出電壓低于 1.8V 和輸出電流大于 2.5A 時(shí)使用帶有 PMOS 旁路元件的線性穩(wěn)壓器就會(huì)顯得不便,并且成本也會(huì)增加。
  與類似的額定電流 PMOS FET 相比,NMOS FET 本身具有較低的 rDS(on),因此 NMOS FET 旁路元件只需較低的 VIN-VOUT 壓降即可提供相同強(qiáng)度的電流。然而,基于 NMOS 的穩(wěn)壓器的源極跟隨器結(jié)構(gòu)要求,F(xiàn)ET 柵極電壓至少為一個(gè)高于輸出電壓的閾值壓降(通常為 1V)。穩(wěn)壓器需要一個(gè)內(nèi)部充電泵來提供更高的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,或一個(gè)由電路中現(xiàn)有的 5V 或 3.3V 偏置電源產(chǎn)生的二次低功耗輸入軌,這就是開發(fā)雙輸入軌、基于 NMOS 旁路元件的 TPS74x01 系列線性穩(wěn)壓器的原因。

  壓降

  TPS74x01 穩(wěn)壓器具有兩個(gè)輸入電壓,其中一個(gè)用來提供低電流偏置電壓以驅(qū)動(dòng)控制 NMOS 旁路器件的內(nèi)部電路,另一個(gè)用來進(jìn)行二次功率輸入。由于所有的內(nèi)部電路均使用較高的 BIAS 輸入電壓運(yùn)行,因此旁路元件可以通過一個(gè)低壓輸入電源實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。實(shí)際上,輸入功率 IN 只受輸出電壓和器件壓降的限制。

  TPS74x01 有兩種不同的壓降規(guī)范,第一種被稱為 VIN 壓降,其專門針對(duì)那些希望通過使用外部偏置電壓來實(shí)現(xiàn)低壓降的用戶。該規(guī)范假設(shè)了 VBIAS 至少比 VOUT 高 1.62V。此類應(yīng)用中,F(xiàn)PGA 收發(fā)器一般使用低紋波、1.2V、3A 的電源軌,該收發(fā)器內(nèi)部 1.5V 和3.3V 的開關(guān)電源分別提供輸入電壓和偏置電壓。在此結(jié)構(gòu)中,55℃ 時(shí)功耗為 1.9W 的 3×3mm QFN 封裝功耗僅為 (1.5V-1.2V)×3A=0.9W,從而達(dá)到了 1.2V/1.5V=80% 的效率。

  第二種規(guī)范被稱為 VBIAS 壓降,該規(guī)格的壓降專門針對(duì)那些希望將 IN 和 BIAS 引腳綁定在一起的用戶。這樣就可將該器件用于無輔助偏置電壓或不要求低壓降的應(yīng)用中。因?yàn)?VBIAS 要為旁路 FET 提供柵極驅(qū)動(dòng),所以 VBIAS 必須要比 VOUT 高 1.4V,同時(shí)壓降受限于應(yīng)用中所使用的 BIAS。例如 TPS74201 可通過一個(gè)效率為 66%(3.3V/5V)的 5V 電壓軌提供一個(gè) 3.3V、1.0A的軟啟動(dòng)電源(稍后將作討論),并且功耗為:(5V-3.3V)×1.0A=1.7W

  穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應(yīng)

  由于輸出電容與負(fù)載阻抗生成的其中一個(gè)控制環(huán)路極點(diǎn)的頻率位置會(huì)隨著輸出電流的變化而變化,到目前為止,線性穩(wěn)壓器環(huán)路穩(wěn)定性對(duì)模擬 IC 設(shè)計(jì)人員而言還是一個(gè)難題。在源跟隨器結(jié)構(gòu)中,具有 NMOS 旁路元件的穩(wěn)壓器更易于實(shí)現(xiàn)功率補(bǔ)償,因?yàn)樵诠苍唇Y(jié)構(gòu)中,其輸出阻抗低于相近功率的PMOS穩(wěn)壓器。這就意味著 NMOS 穩(wěn)壓器的移動(dòng)極點(diǎn)頻率高于同類額定功率 PMOS,即遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于內(nèi)部誤差放大器極點(diǎn)。確保穩(wěn)定性的傳統(tǒng)方法,一是在低頻下逐步減少控制環(huán)路的響應(yīng),從而減少瞬態(tài)響應(yīng);二是利用具有若干等效串聯(lián)電阻 (ESR) 的輸出電容產(chǎn)生的零電位抵消移動(dòng)極點(diǎn)。采用專利反饋控制拓?fù)浼夹g(shù)的 TPS74x01 系列的 VBIAS 為 3.3V、VIN 為 1.8V 并且 VOUT 為 1.5V,無需輸出電容即可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)(請(qǐng)參見圖 2),同時(shí)在與具有 ESR 的較大電容共同工作時(shí)仍然能保持穩(wěn)定。在負(fù)載瞬態(tài)之后沒有輸出電壓(www.189yp.com)振鈴,這表明穩(wěn)壓器在沒有輸出電容的情況下非常穩(wěn)定。

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