二、雙極型晶體管參數(shù)符號(hào)及其意義
Cc——-集電極電容
Ccb——-集電極與基極間電容
Cce——-發(fā)射極接地輸出電容
Ci——-輸入電容
Cib——-共基極輸入電容
Cie——-共發(fā)射極輸入電容
Cies——-共發(fā)射極短路輸入電容
Cieo——-共發(fā)射極開路輸入電容
Cn——-中和電容（外電路參數(shù)）
Co——-輸出電容
Cob——-共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容
Coe——-共發(fā)射極輸出電容
Coeo——-共發(fā)射極開路輸出電容
Cre——-共發(fā)射極反饋電容
Cic——-集電結(jié)勢(shì)壘電容
CL——-負(fù)載電容（外電路參數(shù)）
Cp——-并聯(lián)電容（外電路參數(shù)）
BVcbo——-發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓
BVceo——-基極開路，CE結(jié)擊穿電壓
BVebo——- 集電極開路EB結(jié)擊穿電壓
BVces——-基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓
BV cer——-基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結(jié)擊穿電壓
D——-占空比
fT——-特征頻率
fmax——-最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1時(shí)的工作頻率
hFE——-共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)
hIE——-共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗
hOE——-共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)
h RE——-共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)
hie——-共發(fā)射極小信號(hào)短路輸入阻抗
hre——-共發(fā)射極小信號(hào)開路電壓反饋系數(shù)
hfe——-共發(fā)射極小信號(hào)短路電壓放大系數(shù)
hoe——-共發(fā)射極小信號(hào)開路輸出導(dǎo)納
IB——-基極直流電流或交流電流的平均值
Ic——-集電極直流電流或交流電流的平均值
IE——-發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值
Icbo——-基極接地，發(fā)射極對(duì)地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
Iceo——-發(fā)射極接地，基極對(duì)地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Iebo——-基極接地，集電極對(duì)地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流
Icer——-基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R，集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Ices——-發(fā)射極接地，基極對(duì)地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Icex——-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
ICM——-集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
IBM——-在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過(guò)基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值
ICMP——-集電極最大允許脈沖電流
ISB——-二次擊穿電流
IAGC——-正向自動(dòng)控制電流
Pc——-集電極耗散功率
PCM——-集電極最大允許耗散功率
Pi——-輸入功率
Po——-輸出功率
Posc——-振蕩功率
Pn——-噪聲功率
Ptot——-總耗散功率
ESB——-二次擊穿能量
rbb——-基區(qū)擴(kuò)展電阻（基區(qū)本征電阻）
rbbCc——-基極-集電極時(shí)間常數(shù)，即基極擴(kuò)展電阻與集電結(jié)電容量的乘積
rie——-發(fā)射極接地，交流輸出短路時(shí)的輸入電阻
roe——-發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測(cè)定的交流輸入短路時(shí)的輸出電阻
RE——-外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)）
RB——-外接基極電阻（外電路參數(shù)）
Rc ——-外接集電極電阻（外電路參數(shù)）
RBE——-外接基極-發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)）
RL——-負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）
RG——-信號(hào)源內(nèi)阻
Rth——-熱阻
Ta——-環(huán)境溫度
Tc——-管殼溫度
Ts——-結(jié)溫
Tjm——-最大允許結(jié)溫
Tstg——-貯存溫度
td————延遲時(shí)間
tr——-上升時(shí)間
ts——-存貯時(shí)間
tf——-下降時(shí)間
ton——-開通時(shí)間
toff——-關(guān)斷時(shí)間
VCB——-集電極-基極（直流）電壓
VCE——-集電極-發(fā)射極（直流）電壓
VBE——-基極發(fā)射極（直流）電壓
VCBO——-基極接地，發(fā)射極對(duì)地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VEBO——-基極接地，集電極對(duì)地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEO——-發(fā)射極接地，基極對(duì)地開路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCER——-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R，集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓
VCES——-發(fā)射極接地，基極對(duì)地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEX——-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓
Vp——-穿通電壓。
VSB——-二次擊穿電壓
VBB——-基極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
Vcc——-集電極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VEE——-發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VCE(sat)——-發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降
VBE(sat)——-發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下，基極-發(fā)射極飽和壓降（前向壓降）
VAGC——-正向自動(dòng)增益控制電壓
Vn(p-p)——-輸入端等效噪聲電壓峰值
V n——-噪聲電壓
Cj——-結(jié)（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容
Cjv——-偏壓結(jié)電容
Co——-零偏壓電容
Cjo——-零偏壓結(jié)電容
Cjo/Cjn——-結(jié)電容變化
Cs——-管殼電容或封裝電容
Ct——-總電容
CTV——-電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下，穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比
CTC——-電容溫度系數(shù)
Cvn——-標(biāo)稱電容
IF——-正向直流電流（正向測(cè)試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過(guò)極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過(guò)的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過(guò)的最大正向直流電流；測(cè)穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時(shí)給定的電流
IF（AV）——-正向平均電流
IFM（IM）——-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過(guò)二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限
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