(1)過電流損壞
避免IGBT管發(fā)生鎖定效應(yīng)而損壞,在電路設(shè)計(jì)中應(yīng)保證IGBT管的最大工作電流不超過IGBT管的IDM值,注意可適當(dāng)加大驅(qū)動(dòng)電阻RG來延長(zhǎng)關(guān)斷時(shí)間,減小IGBT管的di/dt。驅(qū)動(dòng)電壓的大小也會(huì)影響IGBT管的鎖定效應(yīng),驅(qū)動(dòng)電壓低,承受過電流時(shí)間長(zhǎng)。IGBT管加負(fù)偏壓,IGBT管生產(chǎn)廠家推薦加-5V左右的反偏電壓。在有負(fù)偏壓的下,驅(qū)動(dòng)正電壓在10~15V。IGBT管發(fā)射極的電流可在5~10μs內(nèi)超過額定電流的4~10倍,IGBT管設(shè)有驅(qū)動(dòng)負(fù)偏壓。
<<版權(quán)聲明:本文由容源電子網(wǎng)(www.189yp.com)整理提供,部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò),如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》
負(fù)載沖擊特性各不,且供電的設(shè)備發(fā)生電源短路故障,在設(shè)計(jì)中采取限流措施進(jìn)行IGBT管的電流限制也是必需的,可考慮采用IGBT管廠家提供的驅(qū)動(dòng)厚膜電路。如FUJI公司的EXB841、EXB840以及三菱公司的M57959AL、M57962CL,對(duì)IGBT管的集電極電壓進(jìn)行檢測(cè),IGBT管發(fā)生過電流,則由內(nèi)部電路關(guān)斷驅(qū)動(dòng)信號(hào)。這種辦法有時(shí)還是不能保護(hù)IGBT管,IR公司推薦的短路保護(hù)方法是:首先檢測(cè)通態(tài)壓降UCE。UCE超過設(shè)定值,保護(hù)電路馬上將驅(qū)動(dòng)電壓降為8V,于是IGBT管由飽和轉(zhuǎn)入放大區(qū),通態(tài)電阻增大,短路電流下降,4μs連續(xù)檢測(cè)通態(tài)壓降UCEO,正常,將驅(qū)動(dòng)電壓恢復(fù)正常;未恢復(fù),將驅(qū)動(dòng)信號(hào)關(guān)斷,使集電極電流減為零。這樣實(shí)現(xiàn)短路電流軟關(guān)斷,可以避免快速關(guān)斷造成的過大di/dt損壞IGBT管。 <<版權(quán)聲明:本文由容源電子網(wǎng)(www.189yp.com)整理提供,部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò),如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》
,根據(jù)三菱公司的最新資料,三菱公司推出的F系列IGBT管均內(nèi)含限流電路(RTC Circuit),當(dāng)發(fā)生過流時(shí),在10μs內(nèi)將IGBT管的驅(qū)動(dòng)電壓減為9V,配合M57160AL驅(qū)動(dòng)厚膜電路可以快速實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷保護(hù)IGBT管。 <<版權(quán)聲明:本文由容源電子網(wǎng)(www.189yp.com)整理提供,部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò),如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》
(2)過電壓損壞
防止過電壓損壞的方法有:優(yōu)化主電路的工藝結(jié)構(gòu),通過縮小大電流回路的路徑來減小線路寄生電感;適當(dāng)IGBT管的驅(qū)動(dòng)電阻RG,使開關(guān)速度減慢(但開關(guān)損耗也了);設(shè)計(jì)緩沖電路,對(duì)尖峰電壓進(jìn)行抑制。用于緩沖電路中的二極管是快恢復(fù)二極管,電容是損耗小、頻率特性好的高頻薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。電路有耗能式和回饋式,回饋式又有無源式和有源式兩種,詳細(xì)電路設(shè)計(jì)可參見所選器件的技術(shù)手冊(cè)。 <<版權(quán)聲明:本文由容源電子網(wǎng)(www.189yp.com)整理提供,部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò),如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》
IGBT管的UGE的保證值為+20V,若超出保證值,將會(huì)導(dǎo)致IGBT管損壞,因而在柵極和發(fā)射極的電壓不能超出保證值。此外,在柵極和發(fā)射極開路時(shí),若在集電極和發(fā)射極間加上電壓,隨著集電極電位的變化,有漏電流(i)流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過。集電極和發(fā)射極處于高電壓,使芯片發(fā)熱而損壞。 <<版權(quán)聲明:本文由容源電子網(wǎng)(www.189yp.com)整理提供,部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò),如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》
在應(yīng)用中,IGBT管的柵極回路處于開路,在主回路上加上電壓時(shí),也將導(dǎo)致IGBT管損壞。為防止這類發(fā)生,應(yīng)在IGBT管的柵極和發(fā)射極接一只10kΩ左右的電阻。為防止因靜電而造成IGBT管損壞,在IGBT管應(yīng)用中應(yīng)注意以下幾點(diǎn): <<版權(quán)聲明:本文由容源電子網(wǎng)(www.189yp.com)整理提供,部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò),如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》
①在使用模塊時(shí),手持IGBT管組件時(shí),請(qǐng)勿觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分。 <<版權(quán)聲明:本文由容源電子網(wǎng)(www.189yp.com)整理提供,部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò),如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》
②在用導(dǎo)電材料連接驅(qū)動(dòng)端子的模塊時(shí),在配線未布好之前,不要先接上模塊。 <<版權(quán)聲明:本文由容源電子網(wǎng)(www.189yp.com)整理提供,部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò),如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》
③盡量在底板接地的下操作。 <<版權(quán)聲明:本文由容源電子網(wǎng)(www.189yp.com)整理提供,部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò),如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》
④當(dāng)觸摸IGBT管的驅(qū)動(dòng)端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻(1MΩ左右)接地進(jìn)行放電,然后再觸摸。 <<版權(quán)聲明:本文由容源電子網(wǎng)(www.189yp.com)整理提供,部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò),如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》
⑤在焊接作業(yè)時(shí),電烙鐵產(chǎn)生感應(yīng)電壓。防止感應(yīng)電壓的產(chǎn)生,應(yīng)使電烙鐵處于的接地。 <<版權(quán)聲明:本文由容源電子網(wǎng)(www.189yp.com)整理提供,部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò),如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》
(3)過熱損壞
可通過降額使用,加大散熱器,涂敷導(dǎo)熱膠,強(qiáng)制風(fēng)扇冷卻,設(shè)置過溫度保護(hù)等方法來過熱損壞的問題。 <<版權(quán)聲明:本文由容源電子網(wǎng)(www.189yp.com)整理提供,部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò),如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》
本文地址:http://www.189yp.com/dz/21/341219190.shtml
本文標(biāo)簽:
猜你感興趣:
光耦驅(qū)動(dòng)芯片HCPL-316J是Agilent公司[編者注:2014年8月更名為keysight(是德)公司]生產(chǎn)的柵極驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)品之一,可用于驅(qū)動(dòng)150A/1200V的IGBT,開關(guān)速度為0.5?s,有過流
IGBT+IR2110驅(qū)動(dòng)電路圖 IR2110驅(qū)動(dòng)IGBT電路如圖所示。電路采用自舉驅(qū)動(dòng)方式,VD1為自舉二極管,C1為自舉電容。接通電源,VT2導(dǎo)通時(shí)Cy通過VDt進(jìn)行充電。這種電路適用于驅(qū)
M57962AL引腳功能圖及內(nèi)部電路、中文資料M57962AL是驅(qū)動(dòng)IGBT專用集成電路,也是使用最常見的集成塊器件,下面主要介紹M57962AL引腳功能圖、M57962AL內(nèi)部電路、M57962AL中文
如圖為M57962AL典型應(yīng)用電路圖。電路中M5762AL:驅(qū)動(dòng)模塊電路;特點(diǎn) 1.采用高速光偶隔離,輸入輸出隔離絕緣強(qiáng)度高;2.輸入輸出電平與TTL電平兼容,適于單片機(jī)控制;3.內(nèi)部有
電磁爐IGBT管好壞的檢測(cè)方法IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測(cè),或用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGBT管三只引腳短
TLP250引腳功能及應(yīng)用電路圖 TLP250特點(diǎn): TOSHIBA TLP250由GaAlAs發(fā)光二極管和a組成 集成光電探測(cè)器。 該單元采用8引腳DIP封裝。 TLP250適用于IGBT或功率MOS FET的柵
TLP250驅(qū)動(dòng)電路圖、IGBT驅(qū)動(dòng)電路 在分立式IGBT驅(qū)動(dòng)電路中,分立元件多、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、保護(hù)電路復(fù)雜、可靠性和性能都比較差,因此在實(shí)際應(yīng)用中大多數(shù)采用集成驅(qū)動(dòng)電路。常用
分立元器件構(gòu)成的IGBT驅(qū)動(dòng)電路 通常設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)電路多為采用脈沖變壓器耦合,其優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,適用于中小功率變換設(shè)備中的IGBT。缺點(diǎn)是不適用于大型功率變換設(shè)備中的大
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的整體市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率,可靠性和穩(wěn)定性的不斷增長(zhǎng)的需求。 功率半導(dǎo)體器件制造商繼續(xù)尋求傳導(dǎo)損耗和開關(guān)時(shí)間的突破。 增加絕緣柵雙極晶體管(IGBT)傳導(dǎo)損耗的一些權(quán)衡因素是:更高的短路電流水平,更小的芯片尺寸,更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。 這突出了柵極驅(qū)動(dòng)器電路和過流檢測(cè)和保護(hù)的重要性。 本文討論了現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中短路保護(hù)的成功和可靠實(shí)施。
雙電壓整流電路需要搭載兩個(gè)橋式電路嗎? 不用兩個(gè)整流橋。用一個(gè)即可,把2個(gè)18伏交流接到整流橋的交流輸入端,把變壓器抽頭0伏接地線(線路板的地線),整流橋直流輸出+ -端接電容
無
無
無
無
無
無
無