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相比電容儲(chǔ)能，電感儲(chǔ)能的儲(chǔ)能密度高，系統(tǒng)體積小，重量輕、造價(jià)降低，因此應(yīng)用電感儲(chǔ)能有潛力得到更高的能量利用率和脈動(dòng)功率，并且電感儲(chǔ)能系統(tǒng)的絕緣問(wèn)題相對(duì)容易解決。目前被廣泛應(yīng)用于等

線圈在實(shí)際使用過(guò)程中，有相當(dāng)數(shù)量品種的電感線圈是非標(biāo)準(zhǔn)件，都是根據(jù)需要有針對(duì)性進(jìn)行繞制。自行繞制時(shí)，要注意以下幾點(diǎn)：
（1）根據(jù)電路需求，選定繞制方法
在繞制空心電感線圈時(shí)，要

1)靈敏度S
光敏器件的靈敏度是指器件輸出電流（或電壓）與入射光通貴（或照度）之比。靈敏度又分為單色靈敏度和積分靈敏度。當(dāng)某一波長(zhǎng)λ的光入射到光敏器件時(shí)，器件輸出的光電流I&l

一、技術(shù)參數(shù) 二、使用說(shuō)明 1.引腳說(shuō)明： IN+輸入正極 IN-輸入負(fù)極 OUT+輸出正極 OUT-輸出負(fù)極 2.輸入電壓范圍：直流3.2V 至 46V (輸入的電壓必須比要輸出的電壓高1.5V以

這款芯片在市場(chǎng)上用的多的，是MSOP8的封裝，這個(gè)封裝體積小，不會(huì)占用PCB太多面積。

這個(gè)芯片可以用在這些方面…..

而我的應(yīng)用，就是上邊提到的“高端電流檢測(cè)”

TVS管保護(hù)的原理：在管子兩端的電壓大于一定值時(shí)，TVS管被反向擊穿，瞬間形成一個(gè)導(dǎo)通回路，將管子兩端的大電流導(dǎo)出，并且將管子兩段的電壓鉗制在一個(gè)固定電壓，進(jìn)而保護(hù)和

以字母結(jié)尾的高精度貼片電阻代碼表

比如：有些電阻上邊會(huì)標(biāo)有30C 34D這些以字母結(jié)束的絲印。

電壓比較器lm358原理壓比較器是對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行鑒別與比較的電路，是組成非正弦波發(fā)生電路的基本單元電路電壓比較器可以看作是放大倍數(shù)接近“無(wú)窮大”的運(yùn)算放大器。電壓比較器的功

可控硅工作原理圖及應(yīng)用圖解
可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)

雙向晶閘管結(jié)構(gòu)符號(hào)及伏安特性曲線
雙向晶閘管是由N-P-N-P-N五層半導(dǎo)體材料制成的，對(duì)外也引出三個(gè)電極，其結(jié)構(gòu)如圖所示。雙向晶閘管相當(dāng)于兩個(gè)單向晶閘管的反向并聯(lián)，但只有一個(gè)控制極。

單向可控硅和雙向可控硅的作用及測(cè)量方法
可控硅導(dǎo)通條件：
一是可控硅陽(yáng)極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件 單向可控硅的工作原理圖[1]必須同時(shí)具備，

上拉電阻：
1、當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)COMS電路時(shí)，如果TTL電路輸出的高電平低于COMS電路的最低高電平（一般為3.5V），這時(shí)就需要在TTL的輸出端接上拉電阻，以提高輸出高電平的值。
2、OC門(mén)電路必須

NTC是Negative Temperature Coefficient 的縮寫(xiě)，意思是負(fù)的溫度系數(shù)，泛指負(fù)溫度系數(shù)很大的半導(dǎo)體材料或元器件，所謂NTC熱敏電阻器就是負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器。它是以錳、鈷、鎳和銅等金屬氧

超級(jí)電容器的高能量密度、長(zhǎng)壽命（常溫下10年，高于蓄電池）、極長(zhǎng)的充放電循環(huán)壽命（50~100萬(wàn)次，遠(yuǎn)高于蓄電池）、高能量密等優(yōu)異性能而得到越來(lái)越多地應(yīng)用。然而，在實(shí)際應(yīng)用中可能會(huì)出現(xiàn)明

MCU部分
2 MAIN -DET I 8bit A/D轉(zhuǎn)換器輸入端口，用于交流電源電壓取樣信號(hào)輸入，該取樣信號(hào)經(jīng)A/D后送比較器，由CPU判斷并顯示出交流電壓值
3 KEY I 8bitA/D轉(zhuǎn)換器輸入端口，輸入面板鍵矩

STV9302- -用于顯示器/電視機(jī)的場(chǎng)偏轉(zhuǎn)輸出推動(dòng)器（2App/60V，帶回掃發(fā)生器）概述： STV9302場(chǎng)偏轉(zhuǎn)推動(dòng)器，主要用于顯示器及電視機(jī)。此IC供電電壓最高可為32V，驅(qū)動(dòng)場(chǎng)偏轉(zhuǎn)線圈的最大輸出電流可

常用電解電容換固體電容的比例值
1.CPU供電類電容，此位置一般原來(lái)均是6.3V-10的電解（用到10V的電解一般都是些耐壓不達(dá)標(biāo)，容量不合格的劣質(zhì)產(chǎn)品來(lái)代替6.3V的，這些就不必太在意耐壓了，一

固態(tài)電容替換原則
所有電容在代換前需要確認(rèn)安裝尺寸.名詞解釋,ESR(通俗定義為電容為穩(wěn)定電源電壓而充放電動(dòng)作的反應(yīng)速度及電能損耗大小。
　　目前大多數(shù)影音及計(jì)算機(jī)產(chǎn)品中配置以下幾組電

TDA8351引腳功能及應(yīng)用電路圖

該電路摘自金星D2933F
1腳：2.4V——正相輸入端
2腳：2.4V——反相輸入端
3腳：16V——電源1
4腳：8V—&mdas

TDA8351AQ和TDA8351Q是不同的，兩者引腳數(shù)不一樣，TDA8351Q為9腳，而TDA8351AQ為13腳，不能互換。

TDA8351AQ引腳功能：
1腳——正相輸入端
2腳——反相輸入端

電容既不產(chǎn)生也不消耗能量，是儲(chǔ)能元件。
在電路里，電容跟電阻一樣的常用。常見(jiàn)的電容按制造材料的不同可以分為：瓷價(jià)電容、滌綸電容、電解電容、鉭電容，還有先進(jìn)的聚丙希電容等等，它們

數(shù)字電位器（DigitalPotenTIometer）亦稱數(shù)控可編程電阻器，是一種代替?zhèn)鹘y(tǒng)機(jī)械電位器（模擬電位器）的新型CMOS數(shù)字、模擬混合信號(hào)處理的集成電路。數(shù)字電位器采用數(shù)控方式調(diào)節(jié)電阻值的，具有

看到一張網(wǎng)上的圖描述觸點(diǎn)的接通時(shí)間的過(guò)程分析的，非常不錯(cuò)，先放在這里。我們知道其實(shí)繼電器的觸點(diǎn)保護(hù)要比Mosfet更加殘酷，一般繼電器的負(fù)載要比Mosfet大很多。常見(jiàn)的直

TDA8354Q電路圖引腳功能說(shuō)明

該電路摘自金星D2908F
1腳：0.3V——
2腳：7.9V——電流反饋輸入
3腳：8.4V——電壓變換輸入
4腳：16V—&mdas

數(shù)字電位器與機(jī)械電位器相比最大的優(yōu)點(diǎn)在于數(shù)字電位器的使用壽命。一般的機(jī)械電位器使用壽命較低，很多使用數(shù)千次后就出現(xiàn)磨損，失效等異常。而數(shù)字電位器一般以百萬(wàn)次為單位。【數(shù)字電位器選