PW2319芯片參數
時間:2021-02-25 16:17:51來源: 作者: 點擊:次
一般說明
PW2319采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征 VDS=-40V，ID=-5A RDS（開）<70m&Om
PW2319采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征 VDS=-40V，ID=-5A RDS（開）<70m&Om
PW2319采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
- VDS=-40V，ID=-5A
- RDS（開）<70mΩ@VGS=-10V
- 提供3針SOT23-3封裝
應用
- 電池保護
- 負荷開關
- 不間斷電源
絕對最大額定值（TA=25℃，除非另有說明）
電氣特性
容－源－電－子－網－為你提供技術支持
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PW2319芯片P溝道增強型MOSFET
一般說明
PW2319采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（開）<70m&Ome
關鍵詞： 所屬欄目：元器件知識
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