PW2308芯片，N溝道增強(qiáng)型MOSFET
PW2308采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓運(yùn)行。該器件適合用作電池保護(hù)或其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
特征 VDS=60V，ID=5A
PW2308采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓運(yùn)行。該器件適合用作電池保護(hù)或其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
特征
- VDS=60V，ID=5A
- RDS（開(kāi)）<38mΩ@VGS=10V
- 提供3針SOT23-3封裝
- 電池保護(hù)
- 負(fù)荷開(kāi)關(guān)
- 自動(dòng)照明
絕對(duì)最大額定值（TA=25℃，除非另有說(shuō)明）
電氣特性（TA=25°C，除非另有說(shuō)明。）
非常感謝用戶(hù)kuakewei 的投稿！
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分享 | 可編程晶振芯片幾個(gè)知識(shí)點(diǎn)
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